Get Adobe Flash player
Главная

Плющай Інна Вячеславівна

доцент кафедри фізики металів, к.ф.-м.н., доцент

Е-mail: inna.plyushchay@gmail.com

Освіта і кар`єра: В 1997 закінчила фізичний факультет Київського університету ім.Т.Шевченка (диплом з відзнакою). 1997-2000 навчалася в очній аспірантурі Київського національного університету імені Тараса Шевченка. Захистила канд. дис. “Особливості електронної структури та властивості аморфних сплавів на основі перехідних металів” (2001). 1998-2001 рр. вчитель фізики Українського фізико-математичного ліцею Київського національного університету імені Тараса Шевченка, 2000-2001 рр. вчений секретар Навчально-наукового центру „Фізико-хімічне матеріалознавство” Київського національного університету імені Тараса Шевченка, 2001-2005 рр. асистент, з 2005 року і по сьогднішній час – доцент кафедри фізики металів фізичного факультету Київського національного університету імені Тараса Шевченка. В 2001, 2002 та 2003 році проходила наукове стажування в технічному університеті міста Хемніц, Німеччина.

Наукові ступені та звання: 2001 рік - кандидат фізико-математичних наук; 2007 рік – доцент.

Наукові інтереси: електронна структура та її вплив на властивості невпорядкованих систем; магнітні та транспортні властивості невпорядкованих систем; локалізація та делокалізація електронних станів; зв’язок між електронною будовою атомів та структурою твердих тіл; розрахунок електронної структури.

Публікації

Авторка 8 навчально-методичних посібників та біля 40 статей у наукових фахових виданнях, в тому числі:

  1. Plyushchay, I.V., Plyushchay, O.I., Makara, V.A.  Ab initio calculation of magnetic interaction between edge dislocation  and oxygen impurity in silicon// (2014) Metallofizika i Noveishie Tekhnologii, 36 (5), pp. 589-596.
  2. Kordyuk, A.A., Zabolotnyy, V.B., Evtushinsky, D.V., Kim, T.K., Büchner, B., Plyushchay, I.V., Berger, H., Borisenko, S.V. Anomalously enhanced photoemission from the Dirac point and other peculiarities in the self-energy of the surface-state quasiparticles in Bi2Se3// (2012) Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics, 85 (7), art. no. 075414.
  3. Plyushchay, I.V., Makara, V.A., Plyushchay., O.I. Electron spectra and atomic structure of an edge dislocation in silicon// (2011) Metallofizika i Noveishie Tekhnologii, 33 (SPEC. ISS.), pp.157-163.
  4. Revo, S.L., Plyushchay, I.V., Ivanenko, K.O. Electroresistance and thermo-E.M.F. of a layered nanocomposite Fe-Ag material// (2006) Metallofizika i Noveishie Tekhnologii, 28 (4), pp. 535-543.
  5. Plyushchay, I.V., Römer, R.A., Schreiber, M. Three-dimensional Anderson model of localization with binary random potential// (2003) Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics, 68(6), art. no. 064201, pp. 642011-642018.
  6. Nakonechnaya, O.I., Plyushchai, I.V., Zakharenko, M.I., Hasegawa, R. Electronic structure and stability of metallic glasses on the basis of transition metals// (2003) Physics of Metals and Metallography, 95 (1), pp. 1-5.

Навчальні курси

  • Квантова теорія твердого тіла
  • Електронна структура та властивості твердих тіл
  • Фізико-хімічні проблеми ФТТ
  • Додаткові розділи фізики
  • Безпека життєдіяльності
  • Загальна фізика (для студентів біологічного факультету)